十四以下岁毛片带血a级 国芯思辰|博维逻辑非易失性存储器MC90N64K0V33AR,贬责NVSRAM的数据保存问题

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发布日期:2022-05-12 15:03    点击次数:92

跟着半导体本事的赶快发展十四以下岁毛片带血a级,多样存储器接踵推出,性能不停擢升。这里国芯思辰提到一种由世俗SRAM、后备电板以及相应适度电路集成的较为新式的存储器:非易失性NVSRAM。

为贬责SRAM的数据保存问题,博维逻辑领先推出了不错透顶替代SRAM的NVSRAM系列。濒临广阔的NVSRAM,提出凭据以下几个性能缱绻进行遴荐:

一、保护数据的可靠性:指系统上、掉电时期NVSRAM是否被误写十四以下岁毛片带血a级,这是NVSRAM最紧迫的一项性能缱绻,亦然用户最热心而又难以在购买时测试的。大渊博NVSRAM产物使用时会丢失数据,给用户带来许多问题和未便。这主要有以下几个原因:上电无保护延时,上电时期丢失数据;掉电时主电源电压下跌快,保护电路不成快速将SRAM的供电从主电源切换到备用电板,或对SRAM的片选信号的阻塞不足时。

博维逻辑MC90N64K0V33AR是一种SPI接口的64Kbit NVSRAM,聚合了非易失性单位和SRAM,该存储器中的SRAM数据不错在断电时特地迅速地写入非易失性单位(存储操作)。而在通电时,数据从非易失性单位自动加载到SRAM(从头加载操作)。同期也不错通过SPI提醒启动存储和从头加载操作。

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二、保护电压:确立保护电压主若是为了珍爱上电/掉电时期数据的误写。关于用户来说,在透顶可靠保护数据的前提下,保护电压越低越好。MC90N64K0V33AR的保护电压低,可靠性强,69日本xxxxxxxxx19称心用户的需求。

三、上电保护延时:这是指系统上电时,当VCC高于保护电压时,NVSRAM延时多永劫候才不错走访。这个延时是必要的,因为VCC高于保护电压时系统不一定普通责任,有可能正处于复位景况或不细目景况十四以下岁毛片带血a级,极有可能误定NVSRAM。NVSRAM里面电路加以必要的保护延时不错灵验地珍爱上电时期的误写。MC90N64K0V33AR内存走访浅薄快速,读写操作蔓延极低。用户在使用NVSRAM时要持重延时参数,系统责任时最佳先测试一下NVSRAM是否已不错走访;或在开动化环节中加一段延时环节。

四、使用温度规模:某些NVSRAM保护电压会随温度变化而变化。如果使用NVSRAM的系统条目的温度规模较大,则不错用以下目的做浅薄测试:将NVSRAM放在雪柜速冻室半小时操纵,再立即插人系统使用,测试系统能否普通读写NVSRAM。MC90N64K0V33AR恰当工业级温度规模圭表,可在顶点天气下普通运行。

五、走访速率:千般NVSRAM上都标有走访速率,用户不错凭据我方行使系统的条目进行遴荐。MC90N64K0V33AR以80Mhz的更快读写走访速率高出了其他非易失性存储器,具有快速的内存走访和非易失性,在断电(忖度或不测)情况下系统收复快速,允许走访成立确立,启动序列和适度代码。

六、功耗及使用寿命:外洋行使都使用低功耗芯片,NVSRAM都使用锂电板看成后备电源,由于锂电板自耗电极低,NVSRAM的使用寿命一般可到十年操纵。而MC90N64K0V33AR数据可在85℃下保存20年,50Mhz责任电流2.5mA;80MHz责任电流4mA。

博维逻辑MC90N64K0V33AR中的SRAM提供无穷读/写周期,其非易失性单位提供高度可靠的非易失性存储,性能优厚、在各方面均特地有上风,而况可Pin to Pin替代赛普拉斯(Cypress)的FM25CL64和富士通(Fujitsu)的MB85RS64PNF。

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